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40-nm CMOS 공정을 이용한 레이다용 E-대역 전력증폭기 설계
E-Band Power Amplifier Design for Radar Transmitter using 40-nm CMOS
- 김선규;
- 문준혁;
- 전예원;
- 김병성
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본 논문에서는 40-nm CMOS 공정을 이용한 E-대역 송수신기용 전력증폭기 설계를 제시한다. 설계된 전력증폭기는 총세 개의 단으로 구성되었으며, 첫 단과 두 번째 단은 구동증폭기로, 마지막 세 번째 단은 전력증폭기로 구성되어있다. 전력증폭기의 모든 단은 증폭기의 안정성을 확보하기 위하여 커패시터 중화 기법을 사용하였으며, 구동증폭기는 공통소스 증폭기, 전력증폭기는 캐스코드 구조를 사용하여 출력 전력 향상을 하였다. 단간 매칭에서는 직렬 인덕터-트랜스포머를 통한넓은 대역 정합을 하였으며, 입출력단은 차동-단일 발룬을 사용하여 정합하였다. 전력증폭기의 출력 전력은 77 GHz에서15.54 dBm이며, 전력 부가 효율(PAE)은 17.92 %이고 전력은 198 mW를 소모한다. 소신호 이득의 3 dB 대역의 경우 66.9～82.5 GHz이며, DC 및 입출력 패드를 포함한 면적은 728×544 μm이다.
키워드
Power Amplifier; CMOS; MMIC; E-Band; Radar Transmitter; -
- 제목
- 40-nm CMOS 공정을 이용한 레이다용 E-대역 전력증폭기 설계
- 제목 (타언어)
- E-Band Power Amplifier Design for Radar Transmitter using 40-nm CMOS
- 저자
- 김선규; 문준혁; 전예원; 김병성
- 발행일
- 2025-11
- 유형
- Y
- 저널명
- 한국전자파학회 논문지
- 권
- 36
- 호
- 11
- 페이지
- 1098 ~ 1101